Компанії IBM і Samsung представили нову архітектуру напівпровідникового чіпа. За їхніми словами, вона може забезпечити продовження виконання закону Мура.
Транзистори вбудовані в чіп таким чином, щоб пускати струм вертикально для більш щільної компоновки пристрою. Обіцяють, що смартфони зможуть кілька тижнів тримати зарядку.
Ще в травні IBM представила напівпровідникові чіпи з рекордно маленькими транзисторами завширшки 2 нанометри (навіть нитка ДНК товще). Завдяки таким розмірам вони змогли розмістити 50 мільярдів транзисторів на чіпі розміром з ніготь, що підвищило продуктивність і ефективність чіпа, при цьому знизивши енергоспоживання на 75% (порівняно з подібними чіпами на 7-нанометровому техпроцесі).
Зазвичай транзистори розташовуються на поверхні чіпа, струм «проходить» паралельно поверхні. У новій архітектурі транзистори вбудовані в чіп перпендикулярно, пускаючи струм вгору і вниз. За словами IBM, така архітектура дозволяє вмістити більше транзисторів і інакше організувати точки дотику між ними, що збільшить струм і заощадить енергію. Вони обіцяють подвоєння продуктивності.
Такі чіпи цікаво використовувати для пристроїв IoT (інтернету речей), а також для автономних датчиків, до яких складно провести постійне харчування або, хоча б, людини. Наприклад, океанічні буйки могли б працювати набагато довше.
Але також величезне значення нова архітектура має на «важкі» обчислювальні процеси, наприклад, майнінг криптовалют. У перспективі використання більш ефективних пристроїв знизить вуглецевий слід людини.